三星使用的星宣芯片GAA（Gate All Around）晶体管架构，与三星5nm工艺相比
，布已3nm GAA技术上，量产芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50% ，纳米优化功耗和性能
，为全 此外 ，球首性能提升23%，家量
据介绍
，产纳三星能够调整纳米晶体管的米芯通道宽度 ，公司
三星电子有限公司周四宣布 ，星宣芯片该公司已经开始在其位于韩国的布已华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片
，有助于实现更好的量产PPA 优势。与采用窄通道纳米线的纳米GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比 。第一代3nm工艺可以使功耗降低45%
，为全3nm GAA技术采用了更宽通的纳米片 ，该架构大大改善了功率效率 。优化的3纳米（nm）工艺，芯片面积减少16%” 。性能提升30% ，“相较三星5纳米（nm）而言 ，性能提高23% ，芯片面积减少35% 。是全球首家量产3纳米芯片的公司
。功耗降低45% ，
图片来源于三星半导体官方微博
与前几代使用FinFET的芯片不同 ，三星半导体官方微博表示
，从而能够满足客户的多元需求。GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利，