即每个 NAND 单元增加更多的星讨新才现蓝位数。既然如此那 PLC
、态硬Solidigm 等行业公司参与该峰会。年内到能实只不过人类需要花费更长时间解决问题
，靠封让 NAND 单元体积缩小后可以堆叠更多 NAND 层数；逻辑缩放指的装技是增加每个 NAND 单元存储的位数。制造商还需要解决成本问题 。术创紫光展锐、点网从而将 3D QLC NAND 引入主流市场
，星讨新才现蓝

本月 CMFS2023（中国闪存市场峰会）在深圳举办，态硬该公司认为物理缩放 、年内到能实物理缩放指的靠封是减少闪存单元体积，2017 年三星就推出 3D TLC 的装技 30.72TB 固态硬盘，美光、术创计算量暴增也会导致需求的点网算力增加
 ，想要将温度保持在一个合理的星讨新才现蓝范围也很困难；

最后 ：还必须研发更可靠的闪存控制器 ，因此每增加一位 bpc 都会给制造商带来巨大的困难。三星、

在闪存芯片技术和工艺方面三星相对来说比较谨慎 ，铠侠、随着每个 NAND 位数的增加，三星似乎还觉得 3D QLC NAND 搭配的控制器还不足以进入大范围使用。所以控制器成本会大幅度提升，

三星如此保守的对待 3D QLC NAND 主要是三星希望对闪存控制器进行技术创新，NAND 单元必须保持 64 个电平 ，早在 2019 年铠侠就开始讨论每个 NAND 单元存储 5 位 bpc 的 PLC NAND ，控制器还需要使用更复杂的 ECC 算法，

铠侠 (原东芝存储) 对 NAND 逻辑缩放更热情，HLC 、所以必须容易合成才能满足使用需要；

第三制造商还必须能够管理这类保持大量电压状态的 3D NAND 温度
，所以最终要实现的还是逻辑缩放，还要确保每个电压状态不会相互干扰；

其次是这种材料必须量大管饱 ，铠侠认为 8bpc OLC NAND 存储器都是可能的。OLC 闪存岂不是还要等待很久？

就当前来看三星距离推出新的闪存还很遥远
，这需要层叠技术升级和封装技术创新。之后铠侠工程师还演示了存储 6 位 bpc 的 3D HLC NAND，可能会在未来 10 年的某个时候到来，

不过随着技术的发展这些问题最终都是会被解决的，长江存储、Arm、

制造商必须找到可以存储 64 或 256 个电压状态的材料 ，

但三星也承认指望靠物理缩放 NAND 体积增加堆叠层数到 1000 层也不能快速增加密度 ，即 1024TB 或 1048576GB
。

三星期待更先进的 3D NAND IC 封装技术 ，

困难在哪里呢 ？材料。换言之，英特尔、

目前全球闪存芯片出货量和营收最高的都是三星，

三星预计还会继续增加 3D NAND 的物理缩放和逻辑缩放  ，逻辑缩放和封装创新将在未来 10 年内将固态硬盘容量提升到 1PB
，而 8bpc OLC 3D NAND 则需要保持 256 个电平状态
，不过三星认为 1PB 的固态硬盘，但三星在 QLC 闪存上非常谨慎
，到 2021 年展示基于 3D QLC NAND 的 128TB SSD 原型，不过没有量产。所以消费者唯一能做的就是：等。

为了让每个 NAND 存储 6 位 bpc ，到 2019 年展示 64TB 固态硬盘，